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다중값 논리는 디지털 시스템 및 논리 설계자들의 관심을 항상 끌어왔습니다. 그러나 지난 20년 동안 개발된 고성능 저전력 CMOS 공정은 전통적으로 이진 논리의 성공적인 회로 구현을 지원해 왔습니다. 결과적으로, 잠재력이 큰 다중값 논리 설계에도 불구하고 회로 설계자가 선택하는 경우는 드뭅니다. 본 논문에서는 탄소 나노튜브 필드 효과 트랜지스터(CNFET)를 이용한 새로운 다중값 논리 설계 방법을 제안합니다. CNFET의 기하학적 의존 임계 전압을 효과적으로 사용하여 삼진 논리 패밀리를 설계하였습니다. 우리는 다양한 기하학 및 작동 조건을 고려할 수 있는 운동학적 CNFET의 SPICE 호환 모델을 개발했습니다. 제안된 논리 게이트에 대해 SPICE 시뮬레이션을 수행하였으며, 전이 특성과 과도 동작을 광범위하게 연구하였습니다. 마지막으로, 삼진 논리 패밀리와 전통적 보완형 필드 효과 트랜지스터 이진 논리 패밀리 간의 전력 및 성능 측면에서의 비교를 제시하였습니다.
Raychowdhury et al. (Tue,)이 이 질문을 연구했습니다.