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초록 최근 몇 년 동안 반도체 양자 점을 기반으로 한 홀 스핀 큐비트가 빠른 속도로 발전해왔습니다. 우리는 먼저 이러한 홀 스핀 큐비트가 전자 스핀 큐비트에 비해 가지는 주요 잠재적 장점들을 검토하고 이들을 설명하는 일반적인 이론적 프레임워크를 제공합니다. 밸런스 밴드의 스핀-오르빗 결합과 초미세 상호작용의 기본적인 특징에 대해 논의하며, 일관성과 스핀 조작에 미치는 결과에 대해서도 설명합니다. 기사의 두 번째 부분에서는 GaAs, Si 및 Si/Ge 이종 구조를 기반으로 한 비교적 광범위한 장치의 실험적 실현에 대한 조사를 제공합니다. 마지막으로 간략한 전망을 제시합니다.
Fang et al. (Thu,)는 이 질문을 연구했습니다.