ZnTe, ZnSe 및 ZnS에서 두 번째 차 비선형 감수성의 분산

우리는 아연 블렌드 II-VI 반도체 ZnTe, ZnSe 및 ZnS의 두 번째-harmonic 생성(SHG) 계수 |d|의 절대값을 실온에서 측정했습니다. 조사가 이루어진 기본 복사 ₅의 스펙트럼 영역은 다양한 펄스 레이저 광원 사용하여 520nm에서 1321nm 범위입니다. II-VI 반도체의 투명한 영역에서는 SHG 계수가 폴리리프링젼트 재료인 인산 암모늄 이수소인산(ADP) 및 인산 칼륨 이수소인산(KDP)의 값보다 한 두 배 정도 큰 값을 보입니다. E₀ 밴드갭 이상에서 |d|의 강한 분산이 관찰되며 E₁ 갭에 가까운 두 번째-harmonic 주파수에서 최대값을 보입니다. 실험 결과는 스핀-오르빗 분할을 포함하는 간단한 세 밴드 모델을 사용하여 계산된 값과 비교됩니다. 두 번째 차 비선형 감수성의 실험적으로 관찰된 분산에 대한 상당한 일치를 발견했습니다.