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개별 반도체 단일벽 탄소 나노튜브에서의 준입자 동역학은 시간 분해 형광(PL) 분광법을 사용하여 연구되었다. 동일한 (n,m) 유형의 튜브에서 PL 감쇠는 단일指数적으로 나타났으나, 튜브에 따라 수명은 20ps 미만에서 200ps까지 다양하였다. 준입자의 비방사형 감쇠의 경쟁은 열적으로 활성화된 과정에 의해 촉진되며, 이는 저주파 포논 모드에 의해 촉진되는 낮은 에너지의 광학적으로 비활성인 트랩 상태로의 전이일 가능성이 높다.
Hagen 외(모,)은 이 문제를 연구하였다.
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