고성능 비정질 GIZO TFT를 향하여

이 연구는 GIZO 필름과 얇은 필름 트랜지스터(TFT)의 전기적 성능에 대한 가공 매개변수의 역할을 분석합니다. 산소 부분 압력, 증착 압력, 타겟 조성, 두께 및 어닐링 온도와 같은 매개변수가 연구됩니다. 일반적으로 낮은 산소 부분 압력을 사용할 때 더 나은 장치가 얻어집니다. 이는 높은 산소 부분 압력을 사용할 때 발생하는 산소 이온 폭격으로 인한 손상 및 매우 높은 필름 저항률과 관련이 있습니다. 낮은 증착 압력과 더 풍부한 인듐 조성을 가진 타겟은 높은 캐리어 농도를 가진 필름을 초래하여, 효과적인 스위칭 장치가 되지 못한 채 필드 효과 이동도가 높지만 채널 전도도 조절이 나쁜 트랜지스터를 만들어냅니다. 그럼에도 불구하고 GIZO 두께를 줄이는 것이 이러한 장치의 스위칭 행동을 크게 향상시킨다는 것이 입증되었으며, 이는 자유 캐리어의 절대 수를 줄이므로 더 쉽게 고갈될 수 있습니다. 어닐링 또한 장치 성능을 제어하는 데 중요한 것으로 나타나며, GIZO의 전기 저항률을 크게 수정하고 지역 원자 재배치를 촉진합니다. 최적의 온도는 제작된 필름의 특성에 의해 결정됩니다. 최상의 성능을 가진 트랜지스터의 경우, 낮은 어닐링 온도에서도 remarkable한 특성인 , on∕off , , 및 이 달성됩니다.