유기/고분자 박막 및 메모리 소자의 전기 스위칭 및 이중 안정성

초록 최근 금속 나노입자를 유기 또는 고분자 재료에 혼합하여 생성된 필름은 전기적 저항변화를 보였으며, 전기적인 바이어스가 가해질 때 메모리 효과를 나타냈습니다. 이러한 이중 안정적 전자 행동을 기반으로 한 유기 및 고분자 디지털 메모리 장치는 유기 전자 분야에서 유망한 기술로 부상하고 있습니다. 이 장치들은 빠른 반응 속도를 나타내며 다층 적층 구조를 형성할 수 있어 유기 메모리 장치가 유연하고 초고속, 초고밀도의 메모리 장치로 발전할 높은 잠재력을 가지고 있음을 보여줍니다. 이러한 작용은 유기 또는 고분자 필름 내의 전하 저장과 관련이 있다고 믿어지며, 장치들은 여러 차례의 크기로 분리된 두 가지 서로 다른 전도성 상태를 나타낼 수 있습니다. 이 두 상태를 “1”과 “0”으로 정의함으로써 이 기술을 이용해 디지털 메모리 장치를 생성할 수 있게 되었습니다. 이 기사는 우리 연구실에서 개발한 전기적으로 이중 안정한 장치에 대해 리뷰합니다. 우리의 연구는 전 세계적으로 이 분야에 강한 관심을 불러일으켰습니다. 다른 연구실의 연구도 리뷰됩니다.