GaAs 양자우물에서의 시간 해상 라만 산란

우리는 GaAs와 (GaAl)As 층으로 구성된 다중 양자 우물 구조에 갇힌 2차원 전자-정공 플라즈마의 역학을 조사하기 위해 피코초 시간 해상 라만 산란 기법을 사용합니다. 가장 낮은 전자 준밴드에서 광여기된 전자의 수명과 준밴드 간 산란 시간을 별도로 측정합니다. 종방향 음향 포논에 의한 준밴드 간 산란 속도의 계산은 215 Å 다중 양자 우물 구조의 두 번째 준밴드에서 상대적으로 긴 수명의 전자를 관찰하는 것을 성공적으로 설명합니다.