임계 전자기 유도를 가진 메모리스티브 뉴런 모델의 숨겨진 폭발 발화 및 이분기 메커니즘

메모리스터는 생물학적 신경 시냅스를 모방하거나 전자기 유도 효과를 설명하는 데 사용될 수 있습니다. 이 논문은 전자기 유도의 임계 효과를 나타내기 위해 임계 플럭스 제어 메모리스터를 제시하고 그 주파수 의존적 핀치 히스테리시스 루프를 조사합니다. 임계 메모리스터에 의해 생성된 전자기 유도 전류를 2차원 핀드마르시-로즈 (HR) 뉴런 모델의 외부 전류 대신 사용하여, 전세계 숨겨진 진동을 가진 3차원 메모리스티브 HR (mHR) 뉴런 모델을 구축하고 해당 수치 시뮬레이션을 수행합니다. 평형점이 없기 때문에 얻어진 mHR 뉴런 모델은 항상 숨겨진 폭발 발화 패턴으로 작동하며, 이분 안정성을 가진 숨겨진 폭발 발화 패턴이 공존합니다. 또한, 이 모델은 실제 뉴런 전기 활동의 복잡한 역학을 나타내며, 3차원 HR 뉴런 모델과 같이 작용하여 그 실행 가능성을 나타냅니다. 특히, 빠른 스케일 서브시스템의 접기 및 호프 이분기 집합을 구성함으로써, 숨겨진 폭발 발화의 이분기 메커니즘을 설명합니다. 마지막으로, 하드웨어 브레드보드에서 회로 실험이 수행되며 캡처된 결과는 수치 결과와 잘 일치하여 생물학적 뉴런의 물리적 메커니즘과 전자 뉴런의 신뢰성을 검증합니다.