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투명하고 전기 전도성이 있는 p형 구리(I)-아이오딘 얇은 필름은 고비율 정류 p-CuI/n-ZnO 다이오드를 형성합니다. 유리 위에 스퍼터링한 구리 얇은 필름은 요오드 증기에 노출되어 다결정 γ-CuI로 변환되었습니다. 홀 효과에서 추출된 전기적 매개변수는 홀 농도 p=5×10^18 cm−3, 이동도 μh,Hall=6 cm²/Vs, 전기 저항률 ρ=0.2 Ωcm입니다. p-CuI와 펄스 레이저 증착된 n-ZnO로 구성된 이종구조가 a-단면 사파이어 기판 위에 제작되었습니다. p-CuI/n-ZnO 다이오드는 ±2 V에서 6×10^6의 전류 정류 비율과 이상성 인자 η=2.14를 나타냅니다.
Schein et al. (Mon,)은 이 질문을 연구했습니다.
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