자기화된 전극을 가진 자기 터널 접합에서의 높은 자기 저항 비율과 낮은 저항-면적 곱

우리는 Co/Ptn/CoFeB/CoFe 하부 전극층(자유층)과 CoFe/CoFeB/TbFeCo 상부 전극층(참조층)을 갖는 직각 자기화된 MgO 기반 자기 터널 접합(p-MgO-MTJs)을 제작하였다. 장벽/전극 계면에서 얇은 CoFeB/CoFe 층을 삽입하고 비교적 낮은 온도인 225 °C에서 후 열처리를 동시에 진행하여 실온에서 최대 85%의 높은 자기 저항(MR) 비율과 4.4 Ω µm²의 낮은 저항-면적(RA) 곱을 얻었다. 저항이 낮은 p-MgO-MTJs에서 높은 MR 비율은 초고밀도 스핀 전이 토크 자기 저항 랜덤 액세스 메모리(MRAMs)를 개발하는 데 핵심적이다.