ذاكرة مقاومة مبتكرة ذات قابلية عالية للتوسع ونقل في نانو ثانية

نقدم ذاكرة مقاومة كهربائية مزدوجة الطبقة غير متطايرة جديدة تتكون من طبقة نشطة بواسطة أيونات النحاس (Cu) الموصلة وطبقة عازلة رقيقة للمرة الأولى. يتم الافتراض بأن آلية التشغيل / الإيقاف لهذه الذاكرة الجديدة هي كما يلي: تخترق أيونات النحاس طبقة العازل بواسطة المجال الكهربائي المطبق، وتكون الأيونات جسرا موصلا في طبقة العازل، ويذوب هذا الجسر مرة أخرى إلى طبقة الأيونات النشطة عندما يتم عكس المجال. تم تصنيع مصفوفة الذاكرة ذات 4 كيلو بت بهيكل خلية 1T-1R بناءً على عملية CMOS 180 نانومتر. كانت نبضات الضبط / إعادة الضبط 5 نانو ثانية، 110 ميكرو أمبير و1 نانو ثانية، 125 ميكرو أمبير، على التوالي. توفر تلك الشروط نسبة مقاومة ضبط / إعادة ضبط كبيرة تزيد عن مرتبتين من الحجم واحتفاظ مرضٍ. كما تم تقديم الخصائص الأساسية للذاكرات عالية السعة بما في ذلك قابلية رائعة للتوسع تصل إلى 20 نانومتر، وتحمل كافٍ يصل إلى 10^7 دورة وبيانات أولية لذاكرة 4 مستويات. تعد هذه الخصائص بأن تكون الذاكرة الجيل التالي من الذاكرات غير المتطايرة عالية السعة حتى قبل مواجهة قيود القياس لذاكرات الفلاش.