Baja velocidad de recombinación superficial en un cristal único de perovskita CH3NH3PbBr3 cultivado en solución

Las perovskitas híbridas orgánico-inorgánicas están atrayendo un intenso esfuerzo de investigación debido a su impresionante rendimiento en células solares. Mientras que los parámetros de transporte de portadores, como la movilidad y la vida útil de los portadores en volumen, muestran características suficientes, la recombinación superficial, que puede tener un impacto importante en el rendimiento de la célula solar, no ha sido estudiada. Aquí medimos la dinámica de recombinación superficial en cristales únicos de perovskita CH3NH3PbBr3 utilizando espectroscopia de reflectancia transitoria de banda ancha. Se encontró que la velocidad de recombinación superficial es de 3.4±0.1 × 10(3) cm s(-1), ∼2-3 órdenes de magnitud menor que en muchos semiconductores despasivados importantes empleados en células solares. Nuestro resultado sugiere que el tamaño de grano plano para las películas delgadas de perovskita debería ser mayor que ∼30 μm para evitar la influencia de la recombinación superficial en la vida útil efectiva de los portadores.