5 nm未満のSOI厚を持つ超薄型SOI n型およびp型MOSFETにおけるキャリア輸送メカニズムに関する実験的研究

SOI厚が2.3 nmから8 nmの超薄型SOI CMOSFETの電気的特性が集中的に調査されています。その結果、初めてSOI厚が3.5 nmから4.5 nmの範囲にあるとき、SOI厚が減少するにつれて電子移動度が増加することが示されました。さらに、SOI厚が4 nm未満のとき、わずかな（原子レベルの）SOI厚の変動が超薄型CMOSFETのしきい値電圧、ゲートチャネル容量、及びキャリア移動度に大きな影響を与えることが示されました。