Key points are not available for this paper at this time.
초록 Si (111) 위에서의 GaN 성장 과정에서 결함 밀도와 웨이퍼 굽힘을 줄이기 위해서는 열 팽창 불일치로 인한 인장 응력을 상쇄하기 위한 변형 보상 기술이 필요하다. Si (111) 위의 GaN 성장에 최적의 버퍼 층 전략을 설계하는 능력은 성장 과정에서 발생하는 완화 과정에 대한 지식에 의존한다. AlGaN 단계 그레이드 버퍼에서는 이 과정이 복잡하여 층 두께, 층 수 및 조성을 최적화하기 어렵다. 여기에서는 층 내 미세구조 진화와 관련된 완화 과정을 조사하였다. X선 회절 측정을 통해 선폭 확장 및 완화가 가장 주요한 결함의 경사 각에 대한 완화 과정을 보여준다는 것을 발견하였다. 여기서 제시된 방법과 결과는 Si (111) 위에서 향상된 품질 및 웨이퍼 굽힘이 없는 GaN 성장 최적화에 도움이 될 것으로 기대된다. (© 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Leung 외 (Sat,) 이 문제를 연구하였다.