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현재 태양 전지 기술에서 사용되는 일부 용어, 예를 들어 “발신기(emitter)”와 “후면 표면 필드(back surface field)”는 일반적으로 앞면 및 뒷면 표면 근처에 구현되는 고농도 n + 및 p + 영역의 역할에 대한 오래된 오해를 지속시킵니다. 본 논문은 실리콘 태양 전지의 p + 후면 표면 영역의 물리학을 검토하고 전기장이 평형 조건을 설명하는 데 중요하지만 조명 하에서 캐리어 수송의 주요 힘은 캐리어 농도의 기울기, 즉 화학 퍼텐셜의 기울기임을 결론짓습니다. 광전지 장치에서 후면 p + 영역의 기능은 전자 농도를 억제하면서 구멍을 금속 접촉 방향으로 이동시키는 것입니다. 이를 “구멍 수집기(hole collector)”라고 적절히 명명할 수 있습니다. 마찬가지로 n + 영역의 기능은 전자를 수집하고 앞면 금속 접촉 방향으로 이동시키는 것이며 “전자 수집기(electron collector)”라고 불려야 합니다.
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Andrés Cuevas
Australian National University
Di Yan
The University of Melbourne
IEEE Journal of Photovoltaics
Australian National University
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Cuevas et al. (Fri,)는 이 질문을 연구했습니다.
synapsesocial.com/papers/6a1ee49b8697bf24e304fa6e — DOI: https://doi.org/10.1109/jphotov.2013.2238289