An analytical model of conductance and transconductance for enhanced-mode mosfets

An analytical model of conductance and transconductance for enhanced-mode MOSFETs is presented. Based on an inversion charge dependent mobility, the model enables the calculation of the conductance and transconductance MOSFET characteristics against several parameters such as bulk bias, oxide thickness, channel length, source-drain series resistance, surface states density, mobility reduction factor and/or potential fluctuation rate. The maximum field effect mobility and the extrapolated threshold voltage deduced from transfer characteristics are then investigated as a function of these parameters. It is finally emphasized that this MOSFET modelprovides a simple but useful tool for analysing the limitations of scaled down devices. Un modéle analytique de conductance et de transconductance pour MOSFET á enrichissement est présenté. Ce modele basé sur une dépendance de la mobilité avec la charge d'inversion permet de calculer la conductance et la transconductance de MOSFETs en fonction des paramétres tels que la polarisation du substrat, L'épaisseur de L'oxide de grille, la longueur du canal,la résistance série source-drain, la densité d'états d'interface, le facteur de réduction de la mobilité et/ou le taux de fluctuation de potentiel. Le maximum de la mobilité d'effet de champ et la tension de seuil extrapolée déduites des caractéristiques de transfert sont analysées en fonction de ces parametres. II est finalement soulignéque ce modéle de MOSFET procure un outil simple mais utile pour L'investigation des limitations propres á la miniaturisation des dispositifs.