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Apresentamos um eletrodo compósito condutor transparente livre de índio composto por nanofios de prata (AgNWs) e bilayers de ZnO. Os AgNWs formam uma rede percolante aleatória embutida entre as camadas de ZnO. As características estruturais únicas do nosso compósito em camadas ZnO/AgNW/ZnO permitem um novo eletrodo condutor transparente com estabilidade térmica excelente sem precedentes (∼375 °C), adesividade e flexibilidade, além de alta condutividade elétrica (∼8,0 Ω/sq) e boa transparência óptica (>91% a 550 nm). Células solares de filme fino Cu(In,Ga)(S,Se)₂ (CIGSSe) incorporando este eletrodo compósito apresentaram um aumento de 20% na eficiência de conversão de potência em comparação com uma célula solar CIGSSe convencional baseada em óxido de estanho de índio sputtered. A estrutura compósita ZnO/AgNW/ZnO permite a transmissão efetiva de luz e coleta de corrente, bem como uma redução na corrente de fuga, tudo isso conduzindo a um melhor desempenho da célula.
Kim et al. (Mon,) estudaram essa questão.