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InGaN 다중 양자 우물 구조 레이저 다이오드(LDs)의 지속파(cw) 작동이 상온(RT)에서 실험적으로 입증되었습니다. LD의 임계 전류와 전압은 각각 130 mA와 8 V였으며, 임계 캐리어 밀도는 9 kA/cm²였습니다. RT cw 작동에서 LD의 수명은 대량의 열 발생으로 인해 1초였습니다. LD의 방출 파장 모드 홉핑이 관찰되었습니다. 온도 상승으로 인한 평균 파장 드리프트는 20도에서 70도 사이에서 0.066 nm/K였으며, 이는 InGaN 활성층의 밴드갭 축소로 인한 이득 프로파일의 온도 의존성 때문입니다.
Nakamura et al. (Mon,)는 이 질문을 연구했습니다.