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블랙 인성의 전기 전도도는 350도 및 8000 kg/cm^2까지의 온도와 압력의 함수로 측정되었습니다. 동일한 재료의 홀 상수는 대기압에서 온도의 함수로 측정되었습니다. 낮은 온도에서는 p형 불순물 전도율이 관찰되며, 높은 온도에서는 이 인성이 0.33 eV의 밴드갭을 가진 본질적인 반도체입니다. 27도에서의 홀과 전자의 이동도는 각각 350 cm^2/볼트 초 및 220 cm^2/볼트 초입니다. 수소 정압을 적용하면 밴드갭이 VdWdV=8.3 eV의 비율로 감소합니다. 결과는 또한 이차원 반도체 모델에 따라 해석됩니다.
로버트 W. 키스(Sun,)는 이 질문을 연구했습니다.