Modulador de onda viajante em silício com tensão de controle ultrabaixa

Há grande interesse na plataforma de silício como um sistema material para fotônica integrada. Um desafio importante é o desenvolvimento de um modulador de baixa potência e baixa tensão de controle. Tensões de controle em ou abaixo de 1 Vpp são desejáveis para compatibilidade com processos CMOS. Aqui demonstramos um modulador de onda viajante de banda larga compatível com CMOS baseado em uma junção pn em polarização reversa. Demonstramos operação com uma tensão de controle de 0,63 Vpp a 20 Gb/s, uma melhoria significativa no estado da arte, com um consumo de energia RF de apenas 200 fJ/bit.