埋め込まれた窒素空孔センターにおけるコヒーレントな光遷移

イオン注入によって作成された窒素空孔（NV）センターにおける安定した光遷移の観測を報告します。高温アニールとその後の表面処理を組み合わせて、寿命制限された光線幅に近いスペクトル拡散を示す零フォノン線（ZPL）を持つNVセンターを再現性をもって作成します。残留スペクトル拡散は、NV(-)電荷状態を維持するために共鳴光ポンピングを使用することでさらに減少します。このアプローチにより、量子光学、ナノフォトニクス、量子情報科学のためのダイヤモンドベースのデバイスの開発において重要なステップとなる、明確に定義されたデバイス層内に優れた光コヒーレンスを持つNVセンターを配置することが可能になります。