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X선 흡수 근접 구조 분광학을 통한 레독스 쌍. 전체 전기화학 반응은 현장 X선 회절 및 외부 고에너지 싱크로트론 X선 회절을 통해 7.7%의 적당한 부피 변화를伴う 고역전이 단상 및 이상 전이를 겪습니다. 밀도 함수 이론(DFT) 계산과 전류 안정 간헐적 적정 기법을 결합하여, 우수한 성능은 낮은 이온 이동 에너지 장벽과 바람직한 Na-이온 확산 동역학에 기인합니다. 현재 작업은 SIB를 위한 다전자 반응 음극 물질 디자인에 대한 새로운 통찰력을 제공합니다.
Zhang et al. (Sun,)은 이 문제를 연구했습니다.
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