Teste Dinâmico de Instabilidade de Temperatura de Bias em MOSFETs de SiC

Para o desenvolvimento de conversores de potência em aplicações críticas, o desempenho atraente dos MOSFETs de potência de SiC é ofuscado por preocupações de confiabilidade, particularmente aquelas induzidas por defeitos no dielétrico da porta. A armadilha de carga na interface óxido-semiconductor pode levar à deriva da tensão de limiar, degradando a eficiência e a vida útil do conversor de potência. O escopo desta contribuição é mostrar uma metodologia de teste em desenvolvimento para entender a estabilidade da tensão de limiar dos MOSFETs de potência de SiC sob condições operacionais dinâmicas e aceleradas. A metodologia de teste apresentada baseia-se na comutação do dispositivo em teste em alta tensão e corrente, aplicando simultaneamente um estresse de porta e extraindo a tensão de limiar a partir de transientes de comutação. O artigo delineia a descrição do arranjo, seus modos de operação e o design pretendido do experimento para avaliar a estabilidade da tensão de limiar dos MOSFETs de SiC.