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Materiais ferromagnéticos, de mudança de fase e magnéticos são considerados candidatos promissores para dispositivos de memória avançados. Sob o dilema de desenvolvimento dos dispositivos de memória baseados em silício tradicionais, os materiais ferromagnéticos se destacam devido às suas propriedades únicas de polarização e às diversas técnicas de fabricação. Na ocasião do centenário do nascimento da ferroelectricidade, o nitreto de alumínio dopado com escândio, que possui uma estrutura de wurtzita diferente, foi relatado como ferromagnético, com uma polarização coercitiva e remanescente maior, temperatura de Curie e uma fase ferromagnética mais estável. As vantagens inerentes atraíram ampla atenção, prometendo melhor desempenho quando usados como materiais de armazenamento de dados e atendendo melhor às necessidades do desenvolvimento da era da informação. Neste artigo, começamos pelas características e pela história de desenvolvimento dos materiais ferromagnéticos, focando principalmente nas características, preparação e aplicações em dispositivos de memória do AlScN wurtzita ferromagnético. Compara e analisa as vantagens únicas dos dispositivos de memória baseados em AlScN, com o objetivo de lançar uma base teórica para o desenvolvimento de dispositivos de memória avançados no futuro.
Qin et al. (qui,) estudaram esta questão.