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Alcançar estruturas orgânicas metálicas (MOFs) com comutação óptica não linear (NLO) é profundamente importante. Neste estudo, os filmes condutivos de MOFs Cu-TCNQ fase I (Ph-I) e fase II (Ph-II) foram preparados usando o método de revestimento por spin em camada por camada e o método de aquecimento a vapor, respectivamente. Experimentos eletrônicos mostraram que o filme Ph-II poderia ser transformado no filme Ph-I sob um campo elétrico aplicado. Os resultados de NLO de terceira ordem revelaram que o filme Ph-I apresentava uma resposta de absorção de saturação reversa não linear de terceira ordem (RSA) e o filme Ph-II exibiu uma resposta de absorção de saturação não linear de terceira ordem (SA). Com o aumento do tempo de aquecimento e da voltagem aplicada, a resposta NLO de terceira ordem possibilitou a transição reversível entre SA e RSA. Os cálculos teóricos indicaram que a Ph-I possuía mais transferência de carga intercamadas, resultando em uma resposta RSA não linear de terceira ordem que era mais forte do que a de Ph-II. Este trabalho aplica MOFs transformados de fase para a comutação NLO de terceira ordem e fornece novos insights sobre as aplicações fotoelétricas não lineares de MOFs.
Ma et al. (Qui,) estudaram esta questão.