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Resumo Uniões de túnel ferromagnéticas (FTJs) têm sido objeto de interesse contínuo de pesquisa devido à sua operação rápida baseada na direção de polarização espontânea de ferroeletros ultrafinos e sua estrutura simples de dois terminais. Devido às vantagens das FTJs, como leitura não destrutiva, alta velocidade de operação, baixo consumo de energia e integração de alta densidade, elas têm sido consideradas recentemente candidatas promissoras para memórias não voláteis de próxima geração. Essas características são essenciais para atender à crescente demanda por memória de alto desempenho em sistemas computacionais modernos. Nesta revisão, exploramos os princípios básicos e estruturas das FTJs e esclarecemos os elementos necessários para a fabricação e operação bem-sucedida das FTJs. Em seguida, focamos no progresso recente em óxido de perovskita, fluoreto, FTJs bidimensionais de van der Waals e baseados em polímeros, e discutimos materiais ferroeletros que se espera estejam disponíveis para uso em FTJs no futuro. Destacamos diversas aplicações funcionais de dispositivos, incluindo memórias não voláteis, matrizes crossbar e sinapses, utilizando as propriedades vantajosas dos ferroeletros. Por fim, abordamos os desafios que os dispositivos FTJ enfrentam atualmente e propomos uma direção para avançar.
Park et al. (Qui,) estudaram essa questão.