Este trabalho introduz um novo método para criar electrets de SiO2 padronizados usando acoplamento capacitivo assistido por carimbo (SACC), permitindo a funcionalização da superfície sem contato direto com eletrodos. O SACC aplica uma corrente alternada através do acoplamento capacitivo entre um carimbo condutivo e um substrato isolante em condições de alta umidade, formando uma nano-célula eletroquímica que impulsiona reações localizadas. Usando filmes de SiO2 crescidos termicamente, conseguimos um padronização submicrométrica com impacto topográfico mínimo, mas alterações eletrônicas significativas. A caracterização via Microscopia de Força de Sonda Kelvin e Microscopia de Força Elétrica confirma a formação de regiões carregadas que replicam o padrão do carimbo, com deslocamentos de potencial de superfície ajustáveis de até -1,7 V e densidades de carga de até 300 nC·cm−2. O processo pode ser escalado para áreas de 1 cm² e é compatível com equipamentos de laboratório convencionais, oferecendo uma alternativa de alto rendimento à litografia por sonda de varredura. O SACC combina simplicidade, precisão e escalabilidade, abrindo novas oportunidades para a produção de electrets padronizados e engenharia de superfícies funcionais.
Chini et al. (Sun,) estudaram esta questão.