Este artigo propõe um amplificador driver de 2 estágios (DA, Driver Amplifier) que opera na faixa de ondas milimétricas e oferece características de banda larga. O DA proposto foi projetado com base em um processo CMOS de 65 nm e expandiu a largura de banda utilizando características de dupla ressonância. Para isso, o segundo estágio de amplificação foi projetado em uma estrutura paralela composta por transistores de tamanhos diferentes, aplicando indutores nos drenos de cada caminho para formar características de dupla ressonância por meio da ressonância com diferentes capacitâncias parasitas. Além disso, a introdução do acoplamento magnético inverso entre os indutores do dreno reduziu a área do chip. Os resultados da simulação mostram que o DA proposto oferece uma largura de banda total de 28,1 GHz em uma faixa de 41,9 GHz a 70,0 GHz, melhorando em cerca de 6,6 GHz em comparação com estruturas anteriores. O DA proposto consome uma corrente total de 29 mA com uma tensão de alimentação de 0,8 V.
Oh et al. (Sat,) estudaram essa questão.