光电探测器在现代光电器件中发挥着举足轻重的作用，尤其是近红外波段的光电探测器在遥感通信、激光雷达等领域具有重要的应用. 然而，由于硅（Si）宽禁带的限制以及大多数近红外光电材料与传统集成电路的不兼容，开发适合小型化和集成化的高性能、宽光谱近红外探测器仍然面临许多挑战. 基于此，本文提出构筑一种基于二维碲薄膜/金字塔硅异质结（Te/pyramid Si, Te/py-Si）的可见-近红外宽谱光电探测器. 通过磁控溅射在金字塔硅上沉积图案化的Te薄膜，获得Te/py-Si异质结阵列，进而先后沉积氧化铝绝缘层和金电极，制备出大面积Te/py-Si光电探测器阵列. 金字塔硅表面微结构的限光效应可有效提高异质结对光的利用率，且异质结界面处大的内建电场可有效促进光生载流子的分离. 因此，所得Te/py-Si异质结器件表现出显著的整流行为（4.1×102的整流比）和优异的光响应性能，包括从520 nm到1064 nm的宽光谱响应、6.95 mA/W的高响应度、1.36×109 Jones的比探测率，以及超快的响应速度（上升时间129 μs，下降时间237 μs）. 此外，Te/py-Si异质结器件阵列优异的光响应性质使其实现了不同波长下的高分辨光电成像. 本工作构筑的Te/py-Si异质结探测器展现出良好的红外成像应用前景，为构筑高性能、宽光谱响应的光电探测器提供了新的思路.
Wang et al. (Sun,) studied this question.