Dentro da estrutura do mecanismo de interação de muitos corpos de um íon de baixa energia (E = 15-60 eV) com os átomos da superfície em cristais únicos, as energias de recuo mais altas E dos átomos foram calculadas pelo método de dinâmica molecular utilizando o potencial de interação a longa distância. Foram obtidas as dependências da energia de recuo na energia de bombardeio, no ângulo de incidência e nas direções cristalográficas do movimento do íon incidente, com base nas quais os limiares de energia para sputtering de vários metais com rede bcc foram determinados. A dependência da energia de sputtering limiar E na energia de ligação da superfície E dos átomos, na constante da rede cristalina a e na orientação cristalina em relação à direção do movimento inicial do íon foi estabelecida. Mostra-se que a energia de sputtering limiar aumenta, mantendo-se as demais variáveis constantes, com a diminuição das distâncias interatômicas e diminui com a redução da energia de ligação da superfície determinada pela energia de atomização do metal.
Evstifeev et al. (Wed,) estudaram esta questão.