Integração de processos e perspectiva futura de transistores 2D

As comunidades acadêmica e industrial propuseram semicondutores de dissulfeto de metal de transição bidimensionais (2D) como uma opção futura para substituir transistores de silício em comprimentos de porta física sub-10 nm. Neste Comentário, compartilhamos o progresso recente na fabricação de dispositivos de semicondutores complementares de óxido de metal (CMOS) baseados em nanofitas de TMD 2D empilhadas e destacamos especificamente questões que ainda precisam ser resolvidas pela comunidade 2D em cinco áreas de pesquisa cruciais: contatos, crescimento de canal, óxido de porta, variabilidade e dopagem. Embora os transistores de TMD 2D tenham um grande potencial, mais pesquisas são necessárias para entender as interações físicas dos materiais 2D em escala atômica. Semicondutores 2D foram propostos como uma opção potencial para substituir ou complementar a eletrônica de silício em escala nanométrica. Aqui, os autores discutem o progresso recente e os desafios remanescentes que precisam ser abordados pelas comunidades de pesquisa acadêmica e industrial em direção à comercialização de transistores 2D.