Estudo Raman da interação entre vibrações localizadas e excitações eletrônicas em silício dopado com boro

O espectro Raman das vibrações localizadas de boro em silício fortemente dopado é estudado em função da frequência do laser excitador. As formas das linhas resultantes são marcadamente assimétricas e apresentam uma dependência pronunciada da frequência da linha do laser excitador. Esses resultados são explicados como uma interferência do tipo Fano entre um contínuo de excitações eletrônicas ativas em Raman devido aos buracos livres e a dispersão vibronica em modos localizados discretos. Esse efeito é comparado à influência dos buracos livres no espectro Raman do fônon óptico no centro da zona. A partir dessa comparação, são tiradas conclusões sobre o efeito das impurezas de boro na estrutura de bandas eletrônicas, e alguns potenciais de deformação associados às vibrações localizadas são estimados.