Polaridade Reversível Eletrostática de Transistores Ambipolares α-MoTe2

Um transistor livre de dopagem feito de ditelureto de molibdênio de fase ambipolar (α-MoTe2) é proposto, no qual a polaridade do transistor (tipo p e tipo n) é controlada eletrostaticamente por portas superiores duplas. O sinal de voltagem em uma das portas determina a polaridade do transistor, enquanto a outra porta modula a corrente de dreno. Demonstramos experimentalmente a operação do transistor, com polaridade controlada eletrostaticamente tanto do tipo p quanto do tipo n em um único transistor.