Acoplador de rede de nível duplo Si₃N₄ sobre SOI com larga largura de banda e alta eficiência de acoplamento

Propomos e demonstramos experimentalmente acopladores de rede de fibra para chip com dentes de rede de nitreto de silício (Si(3)N(4)) e silício (Si) alinhados para larguras de banda amplas e altas eficiências de acoplamento sem o uso de refletor inferior. A largura de banda medida de 1 dB é um recorde de 80 nm, e a eficiência de acoplamento de pico medida é de -1,3 dB, que é competitiva com os melhores acopladores de rede apenas em Si. Os acopladores de rede estão integrados em uma plataforma de óptica integrada Si(3)N(4) sobre silício sobre isolante (SOI) com guias de onda alinhados tanto no Si(3)N(4) quanto no Si, e demonstramos um multiplexador/demultiplexador ajustável de 1 × 4 usando os acopladores de rede de nível duplo Si(3)N(4) sobre SOI e ressonadores de microanel de Si sintonizados termicamente.