Papel do comportamento de inibidores no crescimento anômalo dos grãos de Goss no aço silício orientado a grãos: experimentos e modelagem

O papel do comportamento de inibidores no crescimento anômalo dos grãos de Goss durante a recristalização secundária foi estudado em combinação com observação experimental e simulação de modelo de campo de fase no aço silício orientado a grãos. As vantagens de frequência tanto das fronteiras de grão HE (alta energia) quanto das fronteiras de grão CSL (rede de sítios de coincidência) ao redor dos grãos de Goss em relação à matriz foram identificadas, com vantagens de frequência de aproximadamente 15% e 2%, respectivamente. A fronteira de grão HE foi considerada desempenhando um papel mais importante no crescimento anômalo do grão em relação à fronteira de grão CSL neste estudo. A distribuição do caráter da fronteira era necessária, mas não suficiente, para o crescimento anômalo dos grãos de Goss. Um comportamento apropriado de inibidor era um pré-requisito para a recristalização secundária. O conteúdo inicial e a estabilidade do inibidor desempenharam um papel fundamental na estabilização da matriz, o que garantiu grãos finos benéficos ao redor dos grãos de Goss. Enquanto se a força do inibidor diminuísse rapidamente, os grãos da matriz poderiam crescer de forma notável, resultando em colônias de grão grossas com orientações Cube, 112, 111, 411 e 210, o que dificultaria ainda mais o crescimento anômalo dos grãos de Goss. Os grãos de Goss candidatos com diferentes desorientações competiram entre si durante a recristalização secundária e o grão de Goss exato exibiu uma vantagem de crescimento óbvia. Apenas com uma força de ancoragem apropriada e caráter da fronteira de grão, a recristalização secundária perfeita pode ser alcançada. As descobertas atuais podem fornecer orientação para entender e controlar com precisão o fenômeno de crescimento anômalo de grão.