Efeito Hall Anômalo Espontâneo Decorrente de uma Fase Magnética Compensada Inconvencional em um Semicondutor

O efeito Hall anômalo, comumente observado em ímãs metálicos, foi estabelecido como originário da quebra da simetria de reversão temporal por uma magnetização macroscópica interna em ferromagnetos ou por uma ordem magnética não colinear. Aqui observamos um sinal Hall anômalo espontâneo na ausência de um campo magnético externo em um filme epitaxial de MnTe, que é um semicondutor com uma ordenação magnética antiparalela colinear dos momentos de Mn e uma magnetização líquida que desaparece. O efeito Hall anômalo decorre de uma fase inconvencional com forte quebra de simetria de reversão temporal e polarização de spin alternada na estrutura cristalina do espaço real e na estrutura eletrônica do espaço de momento. O ambiente cristalino anisotrópico dos átomos magnéticos de Mn devido aos átomos não magnéticos de Te é essencial para estabelecer a fase inconvencional e gerar o efeito Hall anômalo.