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Resumo O processo de dispersão de Raman no grafeno é sempre ressonante, ou seja, envolve estados eletrônicos reais, e isso afeta a intensidade de Raman. Assim, uma análise detalhada da intensidade de Raman do grafeno pode fornecer informações úteis sobre o próprio processo de dispersão de Raman, em particular sobre a interação entre as excitações fundamentais no grafeno, como interações elétron-fônon e elétron-defeito, que só podem ser estudadas por técnicas de transporte ou complexas. Aqui é apresentada uma análise detalhada da dependência da intensidade de Raman do grafeno em relação à dopagem e à desordem. Enquanto a intensidade do pico G, I (G), não é fortemente afetada por pequenas quantidades de dopagem ou desordem, a intensidade do pico 2D diminui fortemente com o aumento da dopagem ou da desordem. Ao analisar a dependência de I (2D) com a dopagem no contexto de um processo totalmente ressonante, medimos a taxa total de dispersão elétron-fônon.
Cinzia Casiraghi (qua,) estudou esta questão.