Fabricação de guias de onda de Si/SiO₂ com perda ultrabaixa por redução de rugosidade

Demonstraremos uma perda de transmissão de 0,8 dB/cm para um guia de onda de modo único, strip de Si/SiO(2) com dimensões de seção transversal submicrométricas. Comparamos o método convencional de fabricação de guias de onda com duas tecnologias de suavização que desenvolvemos, suavização por oxidação e gravação anisotrópica. Observamos uma redução significativa da rugosidade das paredes laterais com nossas tecnologias de suavização, o que resulta diretamente em perdas de dispersão reduzidas. O aumento rápido nas perdas de dispersão à medida que a dimensão do guia de onda é miniaturizada, como observado em guias de onda fabricados convencionalmente, é efetivamente suprimido nos guias de onda feitos com nossas tecnologias de suavização. No caso da suavização por oxidação, a perda é reduzida de 32 dB/cm para o método de fabricação convencional para 0,8 dB/cm para a largura do guia de onda de modo único de 0,5 microm. Até onde sabemos, essa é a menor perda relatada para um sistema de alta diferença de índice, como um guia de onda strip de Si/SiO(2).