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Neste artigo, um modelo de mudança de polarização em campo de fase para filmes finos ferroelétricos à base de HfO2, considerando vagas de oxigênio (V₎), foi desenvolvido com base na equação de Ginzburg–Landau (TDGL) dependente do tempo em 2-D, acoplada com a equação de Poisson. Os impactos das distribuições não uniformes de V₎ induzidas pelos grãos monolayer em filmes Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) ultraescalados e as concentrações de V₎ nas características ferroelétricas são investigados em detalhes pelo modelo desenvolvido, que foi verificado e calibrado pelos resultados de medição de HZO. Além disso, mecanismos possíveis de despertar e fadiga são revelados pela simulação com o modelo proposto. É esclarecido que a redistribuição de V₎ não uniformes na direção do plano leva à transição de uma curva de polarização-tensão pinçada para uma convencional no estágio inicial de despertar, enquanto a geração de V₎ dentro de um filme ferroelétrico resulta em um aumento da ferroeletricidade e redução nos processos de despertar e fadiga, respectivamente.
Chen et al. (Quarta,) estudaram essa questão.