Vacâncias de oxigênio e impurezas doadoras em β-Ga2O3

Usando funcionais híbridos, investigamos o papel das vacâncias de oxigênio e várias impurezas nas propriedades elétricas e ópticas do óxido condutor transparente β-Ga2O3. Descobrimos que as vacâncias de oxigênio são doadores profundos e, portanto, não podem explicar a condutividade indesejada tipo n. Em vez disso, atribuimos a condutividade a impurezas de fundo comuns, como silício e hidrogênio. O hidrogênio monoatômico possui baixas energias de formação e atua como um doador raso tanto em configurações intersticiais quanto substitucionais. Também exploramos outros dopantes, onde formas substitucionais de Si, Ge, Sn, F e Cl se mostram comportar como doadores rasos.