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Resumo Fotodetetores metal–inorgânico semicondutor–metal (MSM‐PDs) têm recebido grande atenção em muitas áreas, como comunicação por fibra óptica, sensoriamento, orientação de mísseis, etc., devido aos seus méritos inerentes de alta velocidade, alta sensibilidade e fácil integração. Esta revisão foca em MSM‐PDs com a camada semicondutora feita de materiais inorgânicos, incluindo semicondutores tradicionais (como GaAs e Si), semicondutores de terceira geração de ampla largura de banda (como GaN, ZnO e SiC), bem como vários semicondutores emergentes (como perovskitas e materiais 2D). Primeiro, as estruturas básicas dos MSM‐PDs, incluindo as configurações planares e verticais, são apresentadas. Em seguida, discutem-se os princípios de funcionamento dos MSM‐PDs. Subsequentemente, os progressos da pesquisa sobre MSM‐PDs consistindo em diferentes materiais semicondutores fotosensíveis são descritos em detalhe. Além disso, os esforços para otimizar os MSM‐PDs sob os aspectos de corrente escura, velocidade de resposta, responsividade, ajuste espectral, etc., também são introduzidos. Finalmente, a revisão é concluída com as perspectivas dos MSM‐PDs da visão dos autores.
Shi et al. (qui,) estudaram esta questão.