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Relatamos o desempenho termoelétrico (TE) do AgBiSe2 intrínseco tipo n, um material livre de Pb com elementos mais abundantes na terra e mais baratos do que o homologado intrínseco tipo p AgSbTe2. A dopagem com Pb transforma o AgBiSe2 tipo n em tipo p, mas leva a propriedades de transporte elétrico ruins. A dopagem com Nb melhora as propriedades TE do AgBiSe2 tipo n ao aumentar a concentração de portadores. Como resultado da baixa condutividade térmica intrínseca (0.7 W m–1 K–1), baixa resistividade elétrica (5.2 mΩ cm), e alto coeficiente de Seebeck absoluto (−218 μV/K), o fator de mérito TE (ZT) a 773 K é significativamente aumentado de 0.5 para o AgBiSe2 puro sintetizado em estado sólido para 1 para o Ag0.96Nb0.04BiSe2, tornando-o um candidato promissor tipo n para aplicações termoelétricas em temperatura média.
Pan et al. (Terç,) estudaram esta questão.
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