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Resumo: Dispositivos memristivos são considerados um dos candidatos mais promissores para superar limitações tecnológicas na realização de memórias de próxima geração, aplicações lógicas e sistemas neuromórficos na nanoeletrônica moderna e tecnologia da informação. Apesar dos esforços contínuos, compreender o mecanismo de mudança resistiva subjacente ao comportamento memristivo/neuromórfico ainda representa um desafio. Memristores baseados em nanofios de óxido de metal aparecem como sistemas modelo adequados para uma compreensão mais profunda dos fenômenos físicos/químicos envolvidos devido à possibilidade de localizar e investigar o mecanismo de mudança. Em aspectos práticos, dispositivos baseados em nanofios podem ser cultivados usando uma abordagem de baixo para cima, sendo considerados candidatos confiáveis para ir além das limitações de escalonamento atuais da abordagem de cima para baixo pela litografia padrão. Além disso, aproveitando a alta razão de superfície para volume dessas nanostruturas, novas funcionalidades de dispositivos podem ser alcançadas explorando efeitos de superfície. Na literatura, uma variedade de dispositivos baseados em nanofios, como nanofios únicos, matrizes de nanofios e redes, são relatados como exibindo comportamento memristivo, explicado por diferentes mecanismos de mudança. Este trabalho fornece uma revisão comparativa e uma análise abrangente do desempenho dos dispositivos e dos fenômenos físicos responsáveis pelo comportamento memristivo e neuromórfico nessas nanostruturas. A análise do estado-da-arte dos dispositivos memristor baseados em nanofios e nanorods representa um marco em direção ao desenvolvimento de redes neurais artificiais baseadas em nanofios.
Milano et al. (Mon,) estudaram esta questão.