Neste artigo, estudamos o efeito do nível de dopagem na camada intermediária de um diodo p-i-n pseudo-vertical baseado em GaN. Ao diminuir o nível de dopagem, de 1,1 × 10¹⁶ para 1,6 × 10¹⁴ cm−³, mostramos que a capacitância no estado OFF pode ser reduzida em um fator de 2,2, sem afetar muito a resistência no estado ON, que aumenta em apenas 16%. A principal consequência é um aumento na frequência de corte em um fator de 1,8, de 137 ± 5 para 250 ± 16 GHz. As características DC do diodo são preservadas, uma vez que nenhuma variação significativa da tensão de acionamento foi encontrada e nenhuma ruptura ocorre para tensões de polarização de até −200 V.
Nadaud et al. (Mon,) estudaram essa questão.