Desvendar a vibração da rede, a dinâmica dos portadores e sua influência no transporte de portadores em semicondutores 2D é fundamental para o avanço de dispositivos optoeletrônicos e optoacústicos de próxima geração. Neste estudo, investigamos a dinâmica e as propriedades de transporte de portadores em nanosheets de ZnPS3 usando microscopia de absorção transitória. Nossas medições revelam a geração de fônons acústicos longitudinais coerentes a 17,58 GHz durante a dinâmica de estágio inicial, governada pelo mecanismo de potencial de deformação. Adicionalmente, identificamos um processo de Shockley-Read-Hall na escala de nanosegundos em ZnPS3 e demonstramos o transporte de portadores com uma mobilidade limitada de 41,5 cm²/(V·s), que é muito inferior ao valor teórico (226,5 cm²/(V·s)). Atribuímos a mobilidade reduzida aos efeitos sinérgicos do acoplamento forte entre elétrons e fônons e a dispersão mediada por defeitos em ZnPS3. Este trabalho fornece insights críticos sobre a dinâmica e o transporte de portadores em ZnPS3, orientando sua otimização para futuras aplicações em dispositivos optoacústicos e optoeletrônicos.
Han et al. (qui,) estudaram esta questão.