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Resumo Em dispositivos eletrônicos muito pequenos, a captura e emissão alternadas de portadores em um local de defeito individual geram uma comutação discreta na resistência do dispositivo—denominada sinal de telegráfo aleatório (RTS). O estudo dos RTSs forneceu um poderoso meio de investigar a cinética de captura e emissão de defeitos únicos, demonstrou as origens dos defeitos do ruído de baixa frequência (1/ƒ) nesses dispositivos, e proporcionou novas percepções sobre a natureza dos defeitos na interface Si/SiO2.
Kirton et al. (Sun,) estudaram esta questão.