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Dispositivos semicondutores capazes de gerar um feixe vórtice com um momento angular orbital (OAM) específico são extremamente atraentes para aplicações que variam de manipulação de nanopartículas, imagem e microscopia até comunicações ópticas e quânticas. Neste trabalho, um emissor de OAM integrado, bombeado electricamente e operando em comprimentos de onda de telecomunicações, é fabricado integrando monoliticamente um emissor óptico vórtice com um laser de feedback distribuído no mesmo wafer epitaxial de InGaAsP/InP. Um processo de gravação a seco em uma única etapa é adotado para completar o emissor de OAM, equipado com grades superiores especialmente projetadas. O feixe vórtice emitido pelo dispositivo integrado é capturado e a pureza do seu modo de OAM é caracterizada. O emissor de OAM integrado elimina o laser externo exigido por emissores de OAM à base de silício ou silício sobre isolante, demonstrando, assim, grande potencial para aplicações em sistemas de comunicação e no domínio quântico.
Zhang et al. (ter,) estudaram esta questão.