A regulagem das energias de banda de semicondutores através da engenharia de estresse pode melhorar significativamente seu desempenho eletrônico, fotônico e espintrônico. Embora as nanoestruturas de baixa dimensão sejam relativamente flexíveis, a tunabilidade relatada da banda proibida está dentro de 100 meV por 1% de estresse. Também é desafiador controlar os estresses em semicondutores de espessura atômica com precisão e monitorar as propriedades ópticas e dos fonons simultaneamente. Aqui, desenvolvemos um dispositivo eletromecânico que pode aplicar estresse compressivo biaxial ao MoS2 em trilayer suportado por um substrato piezoelétrico e coberto por um eletrodo transparente de grafeno. Caracterizações de fotoluminescência e Raman mostram que a banda proibida direta pode ser deslocada para o azul em aproximadamente 300 meV por 1% de estresse. Investigações de primeiros princípios confirmam o deslocamento para o azul da banda proibida direta e revelam uma maior tunabilidade da banda proibida indireta em comparação à direta. A excepcional alta tunabilidade da estrutura eletrônica no MoS2 promete uma ampla gama de aplicações em nanodispositivos funcionais, e a metodologia desenvolvida deve ser geralmente aplicável para semicondutores bidimensionais.
Hui et al. (Qui,) estudaram essa questão.
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