Arranjo de átomos de Si e O em filmes de SiOsub 2 crescidos termicamente

Uma análise de dispersão foi realizada em espectros de transmissão de infravermelho por transformada de Fourier obtidos em filmes crescidos termicamente sobre substratos de Si(100) a 950°C em oxigênio seco, com espessuras entre 14 e 100 nm. Foi encontrado que, dentro da faixa, esses espectros foram melhor descritos por quatro osciladores lorentzianos localizados perto de 1060, 1089, 1165 e dentro da faixa com dois osciladores a 795, ao contrário da sílica vítrea, onde a faixa anterior é descrita apenas por dois osciladores e a última por um. As eventualidades de que alguns desses osciladores se devem à existência de oxigênio no substrato de Si ou à existência de fases estáveis a temperaturas mais altas em filmes foram excluídas. Foi sugerido que, em filmes térmicos, a distribuição dos ângulos não é uma simples gaussiana, mas pode ser aproximada por uma sobreposição de duas gaussianas com razão de área de 25/75, afastadas entre si por 6,3° e com larguras completas na metade dos máximos de 13 e 26,8°. © 2003 A Sociedade Eletroquímica. Todos os direitos reservados.