A queda de tensão em estado ligado coletor-emissor (Vce-on) do Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) serve como um parâmetro crítico para caracterizar o estado operacional e permitir a medição da temperatura de junção. Consequentemente, alcançar uma medição online de Vce com alta precisão é de grande importância. No entanto, circuitos de medição de Vce-on existentes, baseados em diodos de alta tensão, apresentam erro significativo devido ao desequilíbrio de potência entre os diodos. Para abordar esse desafio, este artigo propõe um circuito de medição online rápido e preciso para Vce-on baseado em balanceamento de potência de diodo duplo. Ao incorporar um MOSFET de controle, o circuito alcança equilíbrio de potência entre os diodos duplos. Além disso, as características de frequência do circuito de medição são analisadas sistematicamente e os fatores potenciais que afetam a precisão da medição são avaliados. Os resultados da análise teórica demonstram que o circuito exibe alta precisão de medição e características de resposta rápida. Além disso, a verificação experimental sob condições de tensão fixa e entrada de onda quadrada confirma que o circuito alcança velocidade de resposta rápida com erros de medição estáticos abaixo de 6mV em várias condições de carga. O circuito proposto se mostra adequado para monitoramento online de Vce-on e facilita a monitorização efetiva da temperatura de junção do IGBT.
Chen et al. (Sex,) estudou essa questão.
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